CKD Technology တွင် စက်အသစ်စက်စက်များ လက်ကျန်ရှိရုံသာမက ချက်ချင်းရရှိနိုင်ပါသည်။
သင့်ကနဦးရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးစဉ်တွင် သင်၏တိကျသောထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်ကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေသော အသေးစိတ်အငှားလုပ်ငန်းလည်းရှိပါသည်။ အသေးစိတ်အချက်အလက်များအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
CKD တွင် အလှည့်ကျသော့ဝန်ဆောင်မှုကို ပေးအပ်ရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပြီဖြစ်သော ကျွမ်းကျင်အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့တစ်ဖွဲ့ရှိသည်။
အသုံးပြုပြီးသားစက်များ အရောင်းအဝယ်ပြုလုပ်ရန်အတွက် Whatspp သို့မဟုတ် email မှတဆင့် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
MYW10 ပလာစမာစနစ်သည် အလွန်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်၊ မြင့်မားသော wafer မျက်နှာပြင် ကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပေးဆောင်သည်။
• Atmospheric-pressure အာဂွန်ပလာစမာစနစ်
• 100mm-ကျယ်ပြန့်သော inline ပလာစမာသုတ်ခြင်းလုပ်ဆောင်ခြင်း; 2-5 ဆ ပိုမိုထိရောက်မှုရှိပြီး သမားရိုးကျနည်းလမ်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လည်ပတ်မှုကုန်ကျစရိတ် 30% ကျော် သက်သာပါသည်။
• 100% ကြားနေပလာစမာ; ထိလွယ်ရှလွယ် အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများကို ဘေးကင်းလုံခြုံပြီး နူးညံ့သိမ်မွေ့ခြင်း—ပလာစမာ ဗုံးကြဲခြင်း၊ တည်ငြိမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်၊ မီးပွားများ၊ မီးခိုးများ၊ ဖုန်မှုန့်များ၊ အပူလွန်ကဲခြင်း၊ မျက်နှာပြင် လှိုင်းပုတ်ခြင်း သို့မဟုတ် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်များ ထုတ်ကုန်ကို လုံးဝပျက်စီးမှု မရှိစေဘဲ
• စွယ်စုံရဓာတုဖြစ်စဉ်များ- အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် O2 လုပ်ငန်းစဉ်၊ သတ္တုအောက်ဆိုဒ်များကို ဖယ်ရှားခြင်းနှင့် ထုတ်ကုန်မျက်နှာပြင်များကို အသက်ဝင်စေခြင်းအတွက် H2 လုပ်ငန်းစဉ်
• wafer ပေါ်ရှိ အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းခြင်း သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှု ပြောင်းလဲခြင်းများ မဖြစ်စေပါ။
• wafer နှင့် တိပ်ဖရိန် နှစ်မျိုးလုံးနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပြီး နှစ်ခုကြား လျင်မြန်စွာ ကူးပြောင်းနိုင်စေပါသည်။
• Class 10 သန့်စင်ခန်းနှင့် SEMI စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသည်။
| အခြေခံ ကန့်သတ်ချက်များ | MYW10 |
| ပါဝါလိုအပ်ချက်များ | AC 380V၊ 13kW၊ 20A၊ 50/60Hz |
| လေဖိအားလိုအပ်ချက်များ | 90psi (6bar) |
| အတိုင်းအတာများ | 2000 x 2800 x 2200 မီလီမီတာ |
| အလေးချိန် | 2200 ကီလိုဂရမ် |
| အသိအမှတ်ပြု စံနှုန်းများ | SEMI S2/S6/S8 |
| နေရာချထားခြင်း တိကျမှု | XY: ±20 µm @ 3σ; Z- ±10 µm @ 3σ |
| XYZ-Axis ထပ်တလဲလဲနိုင်မှု | XY: ±10 µm @ 3σ; Z- ±5 µm @ 3σ |
| အမြင့်ဆုံးမြန်နှုန်း | 1000 mm/s (XY) |
| အရှိန် | 1.0g |
| Drive စနစ် | AC ဆာဗာ |
| အလုပ်ပလပ်ဖောင်းသတ်မှတ်ချက်များ | |
| တင်/ချခြင်း နည်းလမ်း | OHT + Load Port + စက်ရုပ်လက်မောင်း |
| စက်ရုပ်လက်မောင်း Payload | 3 ကီလိုဂရမ် |
| လိုက်ဖက်သော Wafer အရွယ်အစား | 12 လက်မ (300 မီလီမီတာ) |
| Software Operating System ၊ | Windows 10 |
| X/Y ခရီးသွား | 400 မီလီမီတာ / 500 မီလီမီတာ |
| Z-Axis ခရီးသွား | 20mm |
| ဆက်သွယ်ရေးပရိုတိုကော | SECS/GEM |
| လည်ပတ်မှုအပိုင်း | |
| ပလာစမာ ကုသမှုဧရိယာ (W×D) | 300 × 300 မီလီမီတာ |
| ကုသမှုလွန် Water Contact Angle (WCA) | WCA < 10° (ဆီလီကွန် wafer) |
| Plasma ကုသမှုနည်းလမ်း | အော်ဂဲနစ် ညစ်ညမ်းမှုကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် O2 လုပ်ငန်းစဉ် သတ္တုအောက်ဆိုဒ်ဖယ်ရှားခြင်းအတွက် H2 လုပ်ငန်းစဉ် |
| ပလာစမာစနစ် လိုအပ်ချက်များ | |
| RF ပါဝါ | 27.12MHz တွင် 600W |
| ပင်မပလာစမာဓာတ်ငွေ့ | အာဂွန် |
| လုပ်ငန်းစဉ်ဓာတ်ငွေ့ | O2၊ N2 သို့မဟုတ် H2 |
| Gas Supply Pressure Range | 40–100 psi (0.3–0.7 MPa) |
လိပ်စာ
5th Floor, Building 2, No.182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, Guangdong Province, China.
Tel
အီးမေး
